收藏本站
Typical Electrical Characteristics (continued)
3
3
2
1
2
1
10
0u
s
Lim
ON
ms
0m
10
N)
S(O
10
0m
0.5
0.1
0.05
0.01
RD
S(
it
)
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
DC
10
10
1s
s
1m
s
10
s
0u
s
0.5
0.1
0.05
0.01
it
Lim
RD
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
DC
10
s
1m
ms
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
1m
2
1
0.5
RD
S(O
N)
Lim
it
10
s
0u
s
10
ms
10
DC
0.1
0.05
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
0m
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0 .2
0.1
P(pk)
R θ JA
= (See Datasheet)
0.05
0.05
0 .02
t 1
t 2
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
1
0.5
D = 0.5
R θ
JA
0.2
0.1
0.05
0 .2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
= (See Datasheet)
0.01
0 .0 1
t 1
t 2
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.002
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
2N7000.SAM Rev. A1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NDS8425 MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
NDS8434 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
NDS8947 MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
NDS9400A MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
NDS9407 MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
NDS9945 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
NDS9948 MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
NDS9952A MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
NDS7002A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS7002A_D87Z 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS7002A_NB9GGTXA 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS7002A_Q 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS7002AX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 0.28A SOT23
NDS-8 制造商:Ssac 功能描述: 制造商:YOUNG INDUSTRIES 功能描述:8 PIN OCTAL RELAY SOCKET
NDS8410 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS8410A 功能描述:MOSFET 30V N-ChPowerTrench Single MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube